表面分析
PlasmaQuant® MS 分析晶圆表面金属杂质
分析背景简介
硅片是半导体制造业的基础材料，硅片表面及少量的金属污染都可能导致器件功能的失效，所以硅片表面金属杂质测试是不可或缺的步骤。VPD跟ICPMS 联用检测硅片表面金属杂质是目前最常见的一种手段。目前 VPD也是有成熟的全自动化仪器，它的过程就是利用机械管先将硅片暴露于HF蒸气部分，以溶解自然氧化物或热氧化的SiO2表面层。然后转移至扫描部分，扫描管中吸有扫描液，扫描液一般是3%HF和
为什么晶圆表面需要做金属元素分析？
硅片加工过程中会带来各种金属杂质沾污，进而导致后道器件的失效，轻金属(Na、Mg、Al、K、Ca等)会导致器件击穿电压降低，重金属(Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn等)会导致器件寿命降低。因此，硅片作为器件的原材料，其表面金属含量会直接影响器件的合格率。特定的污染问题可导致半导体器件不同的缺陷，通常这些金属杂质是超微量的金属离子存在。
如何测试这些超微量金属离子？
目前我们为了能测a试出晶
用于制造 X 射线荧光分析全反射镜的高质量表面精磨工艺
01 导言
X 射线反射镜是一种能反射和聚焦短波长 X 射线（束）的反射光学元件，广泛应用于各种分析仪器中。为了有效表征 X 射线的光学和物理性质，各种反射镜形态须达到平均粗糙度在亚纳米级的高表面精度。便携式 X 射线元素分析仪基于全反射 X 射线荧光 (TXRF) 分析技术构建，应用于需要超痕量分析和高质量反射镜等多个领域。此类反射镜呈平面形态且尺寸小，由于其成本限制，需要提高生产率。另外，