红外显微

第三代半导体碳化硅材料快速发展

近年来，5G通信、新能源汽车、光伏行业推动了第三代半导体材料碳化硅（SiC）技术的快速发展。相较于成熟的硅（Si）材料，SiC具有禁带宽、击穿电场高、电子饱和迁移率高、热导率高等优良的物理化学特性，是制备高温、高压、高频、大功率器件的理想材料，如电力转换器、光伏逆变器、射频放大器、滤波器等。

碳化硅外延层及其厚度测定的重要性

SiC功率器件往往需要通过在SiC 衬底上生成所

　　第三代半导体碳化硅材料快速发展

　　近年来，5G通信、新能源汽车、光伏行业推动了第三代半导体材料碳化硅（SiC）技术的快速发展。相较于成熟的硅（Si）材料，SiC具有禁带宽、击穿电场高、电子饱和迁移率高、热导率高等优良的物理化学特性，是制备高温、高压、高频、大功率器件的理想材料，如电力转换器、光伏逆变器、射频放大器、滤波器等。

　　碳化硅外延层及其厚度测定的重要性

　　SiC功率器件往往需要通过在Si

近日，湖南大学发布《湖南大学JY-2022011货物采购项目公开招标公告》，欲花费1330万元采购电子探针显微分析仪、在线红外光谱等设备。具体详情如下：

项目编号：JYCZ202201199

项目名称：湖南大学企业信息JY-2022011货物采购项目

预算金额：1330.0000000 万元（人民币）

最高限价（如有）：1330.0000000 万元（人民币）

采购需求：

中文名称

红外显微镜

英文名称

infrared microscope

定　　义

为红外显微术专门设计或附加配备装置的显微镜。

应用学科

机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科），显微镜-显微镜名称（三级学科）

中文名称

红外显微镜

英文名称

infrared microscope

定　　义

为红外显微术专门设计或附加配备装置的显微镜。

应用学科

机械工程（一级学科），光学仪器（二级学科），显微镜-显微镜名称（三级学科）

　　 在此方面的应用主要有: 分析铀原子与CO 和CO2 反应产物的基体红外光谱, 研究了铀-钍-镍-锡变性锰铝铜强磁性合金的远红外性质。分析C60填料笼形包含物的红外和拉曼光谱。用反射傅立叶变换红外显微光谱法测定有机富油页岩中海藻化石。

　　 此外, 傅立叶变换红外光谱仪在其传统领域———物质结构分析、热力学状态分析、热/动力学过程分析与表征也有着不同程度的进展。